Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR172ADP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5928701SIR172ADP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR172ADP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.60
10+
$0.506
100+
$0.379
500+
$0.278
1000+
$0.215
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR172ADP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR172ADP-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    29.8W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR172ADP-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1515pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 24A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR172ADP-T1-GE3" seotud tooted.
SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR19-21C/TR8

SIR19-21C/TR8

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 65MA 0603

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR1B6B4

SIR1B6B4

Kirjeldus: SOLID STATE RELAY

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
SIR19-315/TR8

SIR19-315/TR8

Kirjeldus: EMITTER IR 870NM 70MA 0603

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR172DP-T1-GE3

SIR172DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR180DP-T1-RE3

SIR180DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR184DP-T1-RE3

SIR184DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR166DP-T1-GE3

SIR166DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR186DP-T1-RE3

SIR186DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR168DP-T1-GE3

SIR168DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR12-21C/TR8

SIR12-21C/TR8

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 65MA 1208

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR1C20B6

SIR1C20B6

Kirjeldus: SOLID STATE RELAY

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
SIR188DP-T1-RE3

SIR188DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 60V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.