Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR402DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
354461SIR402DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR402DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.24
10+
$2.023
100+
$1.626
500+
$1.264
1000+
$1.048
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR402DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR402DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    4.2W (Ta), 36W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR402DP-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1700pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR402DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR2A20A4

SIR2A20A4

Kirjeldus: SOLID STATE RELAY-ISOLATED

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
SIR383

SIR383

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR403EDP-T1-GE3

SIR403EDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR2B20B4

SIR2B20B4

Kirjeldus: SSR RELAY SPST-NC 20A 0-120V

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR2B20A4

SIR2B20A4

Kirjeldus: SOLID STATE RELAY-ISOLATED

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR383C

SIR383C

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR330DP-T1-GE3

SIR330DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR323-5

SIR323-5

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR333-A

SIR333-A

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR408DP-T1-GE3

SIR408DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR234

SIR234

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.