Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR410DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4911799SIR410DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR410DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.499
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR410DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR410DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    4.2W (Ta), 36W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR410DP-T1-GE3-ND
    SIR410DP-T1-GE3TR
    SIR410DPT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1600pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR410DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR403EDP-T1-GE3

SIR403EDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR333-A

SIR333-A

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR383

SIR383

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR383C

SIR383C

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR408DP-T1-GE3

SIR408DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR432DP-T1-GE3

SIR432DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR330DP-T1-GE3

SIR330DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.