Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR640DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5086931SIR640DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR640DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR640DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.SIR640DP-T1-GE3.pdf
    2.SIR640DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR640DP-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4930pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    113nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR640DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR67-21C/TR8

SIR67-21C/TR8

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 65MA SMD

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR632DP-T1-RE3

SIR632DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR638DP-T1-GE3

SIR638DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR680DP-T1-RE3

SIR680DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.