Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR668ADP-T1-RE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4439711SIR668ADP-T1-RE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR668ADP-T1-RE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$1.153
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR668ADP-T1-RE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR668ADP-T1-RE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    104W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR668ADP-T1-RE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3750pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    81nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    7.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 93.6A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    93.6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR668ADP-T1-RE3" seotud tooted.
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR688DP-T1-GE3

SIR688DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR690DP-T1-RE3

SIR690DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR638DP-T1-GE3

SIR638DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR680DP-T1-RE3

SIR680DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR67-21C/TR8

SIR67-21C/TR8

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 65MA SMD

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR692DP-T1-RE3

SIR692DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.