Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR826DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6771570SIR826DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR826DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.49
10+
$3.151
100+
$2.532
500+
$1.969
1000+
$1.632
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR826DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR826DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR826DP-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2900pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    80V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 80V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR826DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIR826DP-T1-RE3

SIR826DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR808DP-T1-GE3

SIR808DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR862DP-T1-GE3

SIR862DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR840DP-T1-GE3

SIR840DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR820DP-T1-GE3

SIR820DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR846ADP-T1-RE3

SIR846ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR812DP-T1-GE3

SIR812DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR846ADP-T1-GE3

SIR846ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR844DP-T1-GE3

SIR844DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR846DP-T1-GE3

SIR846DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.