Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR808DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5301198SIR808DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR808DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR808DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR808DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.9 mOhm @ 17A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    29.8W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    815pF @ 12.5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22.8nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    25V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 25V 20A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR808DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR840DP-T1-GE3

SIR840DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR826DP-T1-GE3

SIR826DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR788DP-T1-GE3

SIR788DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR798DP-T1-GE3

SIR798DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR774DP-T1-GE3

SIR774DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR826DP-T1-RE3

SIR826DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR820DP-T1-GE3

SIR820DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR812DP-T1-GE3

SIR812DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.