Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR882DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5013130SIR882DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR882DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.97
10+
$2.686
100+
$2.159
500+
$1.679
1000+
$1.391
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR882DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR882DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR882DP-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1930pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR882DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIR928-6C-F

SIR928-6C-F

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR876ADP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR890DP-T1-GE3

SIR890DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR876DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR892DP-T1-GE3

SIR892DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR874DP-T1-GE3

SIR874DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR878DP-T1-GE3

SIR878DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.