Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIRA06DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1422673SIRA06DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIRA06DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.41
10+
$1.248
100+
$0.987
500+
$0.765
1000+
$0.604
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIRA06DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.SIRA06DP-T1-GE3.pdf
    2.SIRA06DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIRA06DP-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3595pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    77nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 40A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIRA06DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIR928-6C-F

SIR928-6C-F

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR890DP-T1-GE3

SIR890DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR892DP-T1-GE3

SIR892DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.