Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIS407DN-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

6051607

SIS407DN-T1-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS407DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.467

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SIS407DN-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SIS407DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (max)

±8V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® 1212-8
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Voolukatkestus (max)

3.6W (Ta), 33W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

PowerPAK® 1212-8
Muud nimed

SIS407DN-T1-GE3TR
SIS407DNT1GE3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

2760pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93.8nC @ 8V
FET tüüp

P-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

1.8V, 4.5V
Vooluallikas (Vdss)

20V
Täpsem kirjeldus

P-Channel 20V 25A (Tc) 3.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SIS407DN-T1-GE3" seotud tooted.

SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS07VE

Kirjeldus: DC DC CONVERTER 3.3V 23W

Tootjad: Bel

Laos

SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.