Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIS415DNT-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1931100SIS415DNT-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS415DNT-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.95
10+
$0.829
100+
$0.64
500+
$0.474
1000+
$0.379
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIS415DNT-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIS415DNT-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 1212-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    PowerPAK® 1212-8
  • Muud nimed
    SIS415DNT-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    5460pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIS415DNT-T1-GE3" seotud tooted.
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.