Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIS612EDNT-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
884547SIS612EDNT-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS612EDNT-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIS612EDNT-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 50A SMT
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIS612EDNT-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® 1212-8S
  • Muud nimed
    SIS612EDNT-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2060pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIS612EDNT-T1-GE3" seotud tooted.
SIS472ADN-T1-GE3

SIS472ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Kirjeldus: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Kirjeldus: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIS468DN-T1-GE3

SIS468DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.