Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIS780DN-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
325669SIS780DN-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS780DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.265
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIS780DN-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    SIS780DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 1212-8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    27.7W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® 1212-8
  • Muud nimed
    SIS780DN-T1-GE3-ND
    SIS780DN-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    722pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    Schottky Diode (Body)
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 18A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIS780DN-T1-GE3" seotud tooted.
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Kirjeldus: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Kirjeldus: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.