Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIS892ADN-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1302995SIS892ADN-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS892ADN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.29
10+
$1.138
100+
$0.90
500+
$0.698
1000+
$0.551
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIS892ADN-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIS892ADN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 1212-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® 1212-8
  • Muud nimed
    SIS892ADN-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    550pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 28A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    28A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIS892ADN-T1-GE3" seotud tooted.
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.