Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SISH434DN-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2999810

SISH434DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.40
10+
$1.241
100+
$0.981
500+
$0.761
1000+
$0.601
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SISH434DN-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SISH434DN-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 1212-8SH
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.6 mOhm @ 16.2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    PowerPAK® 1212-8SH
  • Muud nimed
    SISH434DN-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1530pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 17.6A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    17.6A (Ta), 35A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SISH434DN-T1-GE3" seotud tooted.
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SISNAP915EK

SISNAP915EK

Kirjeldus: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Kirjeldus: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Kirjeldus: SMALL SIGNAL+P-CH

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.