Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SISH106DN-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

3069832

SISH106DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.799

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SISH106DN-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SISH106DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (max)

±12V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® 1212-8SH
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
Voolukatkestus (max)

1.5W (Ta)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

PowerPAK® 1212-8SH
Muud nimed

SISH106DN-T1-GE3TR
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

42 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

2.5V, 4.5V
Vooluallikas (Vdss)

20V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

12.5A (Ta)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SISH106DN-T1-GE3" seotud tooted.

SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Kirjeldus: SMALL SIGNAL+P-CH

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISNAP915DK

Kirjeldus: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISNAP915EK

Kirjeldus: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.