Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SISS40DN-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

1727280

SISS40DN-T1-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SISS40DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.58

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SISS40DN-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SISS40DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Seeria

ThunderFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 10A, 10V
Voolukatkestus (max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-PowerVDFN
Muud nimed

SISS40DN-T1-GE3TR
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

845pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

6V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

100V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 100V 36.5A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

36.5A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SISS40DN-T1-GE3" seotud tooted.

SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISNAP915DK

Kirjeldus: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 125V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISNAP915EK

Kirjeldus: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.