Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQD19P06-60L_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6817914SQD19P06-60L_GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SQD19P06-60L_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.74
10+
$1.542
100+
$1.219
500+
$0.945
1000+
$0.746
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQD19P06-60L_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 60V 20A TO252
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SQD19P06-60L_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 19A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    46W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    SQD19P06-60L_GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1490pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 60V 20A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQD19P06-60L_GE3" seotud tooted.
SQD25N15-52_GE3

SQD25N15-52_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 25A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD10N30-330H_GE3

SQD10N30-330H_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40061EL_GE3

SQD40061EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD100N04-3M6L_GE3

SQD100N04-3M6L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD25N06-22L_T4GE3

SQD25N06-22L_T4GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD100N04-3M6_GE3

SQD100N04-3M6_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40081EL_GE3

SQD40081EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD100N03-3M2L_GE3

SQD100N03-3M2L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD100N02-3M5L_GE3

SQD100N02-3M5L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD07N25-350H_GE3

SQD07N25-350H_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD25N06-22L_GE3

SQD25N06-22L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 25A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD15N06-42L_GE3

SQD15N06-42L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 15A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40030E_GE3

SQD40030E_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD19P06-60L_T4GE3

SQD19P06-60L_T4GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD100N03-3M4_GE3

SQD100N03-3M4_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.