Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQD35N05-26L-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

5930548

SQD35N05-26L-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD35N05-26L-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SQD35N05-26L-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SQD35N05-26L-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

TO-252, (D-Pak)
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 20A, 10V
Voolukatkestus (max)

50W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

1175pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

55V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 55V 30A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SQD35N05-26L-GE3" seotud tooted.

SQD15N06-42L_GE3

SQD15N06-42L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 15A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD19P06-60L_T4GE3

SQD19P06-60L_T4GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40131EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40N06-25L-GE3

SQD40N06-25L-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 30A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD10N30-330H_GE3

SQD10N30-330H_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD25N06-22L_GE3

SQD25N06-22L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 25A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40N06-14L_GE3

SQD40N06-14L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40030E_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40031EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40081EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD100N04-3M6_GE3

SQD100N04-3M6_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40061EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD25N06-22L_T4GE3

SQD25N06-22L_T4GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD25N15-52_GE3

SQD25N15-52_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 25A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.