Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQJ410EP-T1_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1588906

SQJ410EP-T1_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$1.111
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQJ410EP-T1_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    SQJ410EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 10.3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    83W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6210pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQJ410EP-T1_GE3" seotud tooted.
SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ260EP-T1_GE3

SQJ260EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 200V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ244EP-T1_GE3

SQJ244EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ420EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ422EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.