Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SQJ260EP-T1_GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

3020016

SQJ260EP-T1_GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ260EP-T1_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.57

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SQJ260EP-T1_GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SQJ260EP-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Seeria

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V
Võimsus - maks

27W (Tc), 48W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

PowerPAK® SO-8 Dual
Muud nimed

SQJ260EP-T1_GE3TR
Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V, 40nC @ 10V
FET tüüp

2 N-Channel (Dual)
FET funktsioon

Standard
Vooluallikas (Vdss)

60V
Täpsem kirjeldus

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc), 54A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

20A (Tc), 54A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SQJ260EP-T1_GE3" seotud tooted.

SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ244EP-T1_GE3

SQJ244EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ148EP-T1_GE3

SQJ148EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 15A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 23A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.