Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQJ886EP-T1_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6830355SQJ886EP-T1_GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJ886EP-T1_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.55
10+
$1.371
100+
$1.083
500+
$0.84
1000+
$0.663
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQJ886EP-T1_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SQJ886EP-T1_GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 15.3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    55W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SQJ886EP-T1_GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2922pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 60A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQJ886EP-T1_GE3" seotud tooted.
SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 58A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ848EP-T1_GE3

SQJ848EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ946EP-T1_GE3

SQJ946EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 150V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ858EP-T1_GE3

SQJ858EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 75A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ951EP-T1_GE3

SQJ951EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 24A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ844AEP-T1_GE3

SQJ844AEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.