Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SQJ912AEP-T1_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
720754SQJ912AEP-T1_GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJ912AEP-T1_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.541
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQJ912AEP-T1_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SQJ912AEP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.3 mOhm @ 9.7A, 10V
  • Võimsus - maks
    48W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Muud nimed
    SQJ912AEP-T1-GE3
    SQJ912AEP-T1-GE3-ND
    SQJ912AEP-T1_GE3-ND
    SQJ912AEP-T1_GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1835pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    30A

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQJ912AEP-T1_GE3" seotud tooted.
SQJ858EP-T1_GE3

SQJ858EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 75A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ886EP-T1_GE3

SQJ886EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ946EP-T1_GE3

SQJ946EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 150V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ958EP-T1_GE3

SQJ958EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ844AEP-T1_GE3

SQJ844AEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 24A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 58A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ848EP-T1_GE3

SQJ848EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ951EP-T1_GE3

SQJ951EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.