Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQJQ402E-T1_GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

5601680

SQJQ402E-T1_GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJQ402E-T1_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

2000+

$1.025

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SQJQ402E-T1_GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Lead Free status / RoHS staatus
Andmelehed

SQJQ402E-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® 8 x 8
Seeria

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 20A, 10V
Voolukatkestus (max)

150W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

PowerPAK® 8 x 8 Single
Muud nimed

SQJQ402E-T1_GE3-ND
SQJQ402E-T1_GE3TR
Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

13500pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

40V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 40V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SQJQ402E-T1_GE3" seotud tooted.

SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJQ906E-T1_GE3

SQJQ906E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.