Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SQJQ910EL-T1_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2930598SQJQ910EL-T1_GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJQ910EL-T1_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$1.102
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQJQ910EL-T1_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SQJQ910EL-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Võimsus - maks
    187W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Muud nimed
    SQJQ910EL-T1_GE3-ND
    SQJQ910EL-T1_GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2832pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQJQ910EL-T1_GE3" seotud tooted.
SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ906E-T1_GE3

SQJQ906E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ980EL-T1_GE3

SQJQ980EL-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.