Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQM110P04-04L-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3346048SQM110P04-04L-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SQM110P04-04L-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQM110P04-04L-GE3
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 40V 120A TO263
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263 (D2Pak)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 mOhm @ 30A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    375W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    13980pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)
SQM10SJB-82K

SQM10SJB-82K

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
SQM10SJB-9R1

SQM10SJB-9R1

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 120A TO-263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SQM120N06-06_GE3

SQM120N06-06_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SQM10SJB-8R2

SQM10SJB-8R2

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
SQM10SJB-9K1

SQM10SJB-9K1

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
SQM120N06-3M5L_GE3

SQM120N06-3M5L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SQM10SJB-910R

SQM10SJB-910R

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
SQM10SJB-82R

SQM10SJB-82R

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
SQM120N04-1M7L_GE3

SQM120N04-1M7L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SQM10SJB-91K

SQM10SJB-91K

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
SQM120N04-1M4L_GE3

SQM120N04-1M4L_GE3

Kirjeldus: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SQM120N04-1M9_GE3

SQM120N04-1M9_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SQM10SJB-91R

SQM10SJB-91R

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
SQM120N10-09_GE3

SQM120N10-09_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SQM10SJB-8K2

SQM10SJB-8K2

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi