Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQM120N04-1M7_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1770819SQM120N04-1M7_GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SQM120N04-1M7_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$1.76
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQM120N04-1M7_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 120A TO263
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SQM120N04-1M7_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263 (D2Pak)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 30A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    SQM120N04-1M7-GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    17350pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    310nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQM120N04-1M7_GE3" seotud tooted.
SQM10SJB-9K1

SQM10SJB-9K1

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
RFQ
SQM120N10-09_GE3

SQM120N10-09_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM120P06-07L_GE3

SQM120P06-07L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM120P04-04L_GE3

SQM120P04-04L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM10SJB-9R1

SQM10SJB-9R1

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
RFQ
SQM200JB-0R11

SQM200JB-0R11

Kirjeldus: RES WW 2W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
RFQ
SQM120N06-06_GE3

SQM120N06-06_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM200JB-0R1

SQM200JB-0R1

Kirjeldus: RES WW 2W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
RFQ
SQM120N06-3M5L_GE3

SQM120N06-3M5L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM120N04-1M4L_GE3

SQM120N04-1M4L_GE3

Kirjeldus: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM120N04-1M9_GE3

SQM120N04-1M9_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM120P10_10M1LGE3

SQM120P10_10M1LGE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM120N04-1M7L_GE3

SQM120N04-1M7L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 120A TO-263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM10SJB-91R

SQM10SJB-91R

Kirjeldus: RES WW 10W 5% TH

Tootjad: Yageo
Laos
RFQ
SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQM110P04-04L-GE3

SQM110P04-04L-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.