Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQV120N06-4M7L_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
904318

SQV120N06-4M7L_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
500+
$1.947
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQV120N06-4M7L_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    SQV120N06-4M7L_GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-262-3
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 30A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    250W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    8800pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    230nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQV120N06-4M7L_GE3" seotud tooted.
BFL4001-1E

BFL4001-1E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 4.1A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRLR7821PBF

IRLR7821PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
APT7F100B

APT7F100B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
FDB2614

FDB2614

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRFS4115-7PPBF

IRFS4115-7PPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
R5016ANJTL

R5016ANJTL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SUP85N02-03-E3

SUP85N02-03-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF8736TRPBF

IRF8736TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFB7446GPBF

IRFB7446GPBF

Kirjeldus: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB70N10SL16ATMA1

IPB70N10SL16ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
TSM80N950CI C0G

TSM80N950CI C0G

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
STP100NF04

STP100NF04

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
FCMT199N60

FCMT199N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SPP18P06PHKSA1

SPP18P06PHKSA1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF7457TRPBF

IRF7457TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SQP90142E_GE3

SQP90142E_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
NVD6495NLT4G-VF01

NVD6495NLT4G-VF01

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SQV120N10-3M8_GE3

SQV120N10-3M8_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.