Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQV120N10-3M8_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3598701

SQV120N10-3M8_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
500+
$1.947
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQV120N10-3M8_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    SQV120N10-3M8_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-262-3
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    250W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7230pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQV120N10-3M8_GE3" seotud tooted.
AOB4184

AOB4184

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 12A TO263

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
SPB80N03S2L-06

SPB80N03S2L-06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPC90R120C3X1SA1

IPC90R120C3X1SA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI200N25N3GAKSA1

IPI200N25N3GAKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFB4212PBF

IRFB4212PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FQA62N25C

FQA62N25C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
T-FD28N50Q-72

T-FD28N50Q-72

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IRF730AL

IRF730AL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7848DP-T1-E3

SI7848DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQV120N06-4M7L_GE3

SQV120N06-4M7L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
BUK9107-40ATC,118

BUK9107-40ATC,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
NTMFS10N7D2C

NTMFS10N7D2C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
PMR370XN,115

PMR370XN,115

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
IRF7706

IRF7706

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BUK7215-55A,118

BUK7215-55A,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
IRFR5505TRL

IRFR5505TRL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
MIC94031BM4 TR

MIC94031BM4 TR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143

Tootjad: Micrel / Microchip Technology
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.