Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP1M023A050N
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6759320GP1M023A050N piltGlobal Power Technologies Group

GP1M023A050N

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GP1M023A050N
  • Tootja / bränd
    SemiQ
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GP1M023A050N.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-3PN
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    220 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    347W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Muud nimed
    1560-1192-1
    1560-1192-1-ND
    1560-1192-5
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3391pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 23A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "GP1M023A050N" seotud tooted.
GP1M020A060N

GP1M020A060N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

Kirjeldus: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

Kirjeldus: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS SMD

Tootjad: Socle Technology Corporation
Laos
RFQ
GP1S096HCZ0F

GP1S096HCZ0F

Kirjeldus: SENSOR OPTO SLOT 1MM TRANS THRU

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP1M020A060M

GP1M020A060M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1S094HCZ

GP1S094HCZ

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP1M016A060N

GP1M016A060N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1S097HCZ

GP1S097HCZ

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

Kirjeldus: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU

Tootjad: Socle Technology Corporation
Laos
RFQ
GP1S093HCZ

GP1S093HCZ

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP1S092HCPI

GP1S092HCPI

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP1S096HCZ

GP1S096HCZ

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP1M020A050N

GP1M020A050N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M016A060H

GP1M016A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1S094HCZ0F

GP1S094HCZ0F

Kirjeldus: SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU

Tootjad: Socle Technology Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.