Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Line Card > SemiQ
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik

SemiQ

Küsi hinnapakkumist
SemiQ

Sissejuhatus

SemiQ - 2007. aastal asutatud Global Power Technologies Group, Inc. (edaspidi "GPTG") on integreeritud arendus- ja tootmisettevõte, mis on spetsialiseerunud ränikarbiidi (SiC) tehnoloogial põhinevatele toodetele. Need tooted on põhivõrgu jõuelektroonika ja energiatööstuse jaoks tulevastel aastatel, kus madala hinnaga, väga tõhusa elektritootmise, muundamise ja ülekande jaoks on vaja kõrgtehnoloogilisi tehnoloogiaid.

Seotud uudised

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novembril, turuväärtus jõuab eeldatavasti 5 miljardi dollarini

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud masstootmisse 1,6tPS optilise transiiveriga

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalub oma äri müümist Hiinas Taiwanis

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristics and applications

2024/11/19

The core value and future development trend of passive components

2024/11/18
Kategooria
7
Tooted
373

Diskreetse pooljuhttooted

Seotud tooted

Koguleht : 8
12345678
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2D060A120U

GP2D060A120U

Kirjeldus: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M010A080N

GP1M010A080N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXD030A004S1-D3

GSXD030A004S1-D3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 45V 30A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP3D050A060B

GP3D050A060B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

Kirjeldus: SILICON IGBT MODULES

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP3D060A120B

GP3D060A120B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GDP60Z120E

GDP60Z120E

Kirjeldus: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M004A065PG

GP2M004A065PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHXS030A060S-D3

GHXS030A060S-D3

Kirjeldus: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2D010A060A

GP2D010A060A

Kirjeldus: SCHOTTKY DIODE 600V 10A TO-220-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHXS045A120S-D1

GHXS045A120S-D1

Kirjeldus: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

Kirjeldus: IGBT MODULE 1200V 335A

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXF120A020S1-D3

GSXF120A020S1-D3

Kirjeldus: DIODE FAST REC 200V 120A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHIS100A120T2C1

GHIS100A120T2C1

Kirjeldus: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXD060A010S1-D3

GSXD060A010S1-D3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHIS020A060B1P2

GHIS020A060B1P2

Kirjeldus: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2D008A120C

GP2D008A120C

Kirjeldus: DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXD160A015S1-D3

GSXD160A015S1-D3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 150V 320A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXF060A120S1-D3

GSXF060A120S1-D3

Kirjeldus: DIODE FAST REC 1200V 60A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHXS060A120S-D4

GHXS060A120S-D4

Kirjeldus: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP3D050A120B

GP3D050A120B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2D020A120B

GP2D020A120B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GCMS040A120B3C1

GCMS040A120B3C1

Kirjeldus: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXD100A020S1-D3

GSXD100A020S1-D3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXD100A018S1-D3

GSXD100A018S1-D3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GDP30P120B

GDP30P120B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHIS100A120S1-E1

GHIS100A120S1-E1

Kirjeldus: SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A065F

GP1M006A065F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M011A050H

GP1M011A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXF030A100S1-D3

GSXF030A100S1-D3

Kirjeldus: DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXD120A015S1-D3

GSXD120A015S1-D3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
Koguleht : 8
12345678
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.