Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP2M005A060PGH

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

392650

GP2M005A060PGH pilt

Global Power Technologies Group

GP2M005A060PGH

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

GP2M005A060PGH
Tootja / bränd

SemiQ
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

GP2M005A060PGH.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (max)

±30V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

I-PAK
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Voolukatkestus (max)

98.4W (Tc)
Pakend

Tube
Pakett / kott

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Muud nimed

1560-1202-1
1560-1202-1-ND
1560-1202-5
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

658pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

10V
Vooluallikas (Vdss)

600V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 600V 4.2A (Tc) 98.4W (Tc) Through Hole I-PAK
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

4.2A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "GP2M005A060PGH" seotud tooted.

GP2M008A060FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M008A060FGH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M008A060PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A060CG

GP2M005A060CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M007A065HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A050HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A050FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M008A060HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M007A080F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M009A090NG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M008A060PGH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M004A065HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A050PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A060PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M004A065PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A060HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M008A060CG

GP2M008A060CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M009A090FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A060FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.