Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP2M012A060F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3754210GP2M012A060F piltGlobal Power Technologies Group

GP2M012A060F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GP2M012A060F
  • Tootja / bränd
    SemiQ
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GP2M012A060F.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220F
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    650 mOhm @ 6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    53.4W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3 Full Pack
  • Muud nimed
    1560-1210-1
    1560-1210-1-ND
    1560-1210-5
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1890pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 12A (Tc) 53.4W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "GP2M012A060F" seotud tooted.
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2S24

GP2S24

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.