Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > LSIC1MO120E0080
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5245861LSIC1MO120E0080 piltHamlin / Littelfuse

LSIC1MO120E0080

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$27.60
10+
$25.53
25+
$23.46
100+
$21.804
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    LSIC1MO120E0080
  • Tootja / bränd
    Hamlin / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    LSIC1MO120E0080.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 10mA
  • Vgs (max)
    +22V, -6V
  • Tehnoloogia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 20A, 20V
  • Voolukatkestus (max)
    179W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    F10335
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    29 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1825pF @ 800V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 20V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    20V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1200V 39A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    39A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "LSIC1MO120E0080" seotud tooted.
IPP80N04S3-04

IPP80N04S3-04

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXFK120N30T

IXFK120N30T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 120A TO-264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Kirjeldus: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
NTD110N02RT4G

NTD110N02RT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NX3008NBK,215

NX3008NBK,215

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V TO-236AB

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
TK6A65W,S5X

TK6A65W,S5X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
APTM50DAM19G

APTM50DAM19G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 163A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
SI8466EDB-T2-E1

SI8466EDB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
NTMFS4833NST3G

NTMFS4833NST3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI7478DP-T1-GE3

SI7478DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AOI4T60P

AOI4T60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Kirjeldus: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.