Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > LSIC1MO120E0120
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4865040LSIC1MO120E0120 piltHamlin / Littelfuse

LSIC1MO120E0120

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$21.51
10+
$19.55
25+
$18.084
100+
$16.618
250+
$15.151
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    LSIC1MO120E0120
  • Tootja / bränd
    Hamlin / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    LSIC1MO120E0120.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 7mA
  • Vgs (max)
    +22V, -6V
  • Tehnoloogia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 14A, 20V
  • Voolukatkestus (max)
    139W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    F11004
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    29 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1125pF @ 800V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 20V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    20V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1200V 27A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    27A (Tc)

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "LSIC1MO120E0120" seotud tooted.
NDS9435A

NDS9435A

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
GKI07174

GKI07174

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN

Tootjad: Sanken Electric Co., Ltd.
Laos
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Kirjeldus: MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
IPP040N06N3GXKSA1

IPP040N06N3GXKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
BUK725R0-40C,118

BUK725R0-40C,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 75A DPAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FQAF12P20

FQAF12P20

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP3N80C

FQP3N80C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPAN60R650CEXKSA1

IPAN60R650CEXKSA1

Kirjeldus: MOSFET NCH 600V 9.9A TO220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Kirjeldus: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
TPC8A05-H(TE12L,QM

TPC8A05-H(TE12L,QM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.