Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > 70V3579S5BC8
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
223408670V3579S5BC8 piltIDT (Integrated Device Technology)

70V3579S5BC8

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$54.583
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    70V3579S5BC8
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tehnoloogia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Pakkuja seadme pakett
    256-CABGA (17x17)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    256-LBGA
  • Muud nimed
    IDT70V3579S5BC8
    IDT70V3579S5BC8-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1.125Mb (32K x 36)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    SRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 256-CABGA (17x17)
  • Baasosa number
    IDT70V3579
  • Juurdepääsuaeg
    5ns
70V3579S6BC

70V3579S6BC

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4BF8

70V3579S4BF8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BFI8

70V3579S5BFI8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4DR

70V3579S4DR

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4BF

70V3579S4BF

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4BC

70V3579S4BC

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BC

70V3579S5BC

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3569S6DRI

70V3569S6DRI

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4BC8

70V3579S4BC8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BCI

70V3579S5BCI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5DRI

70V3579S5DRI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BCI8

70V3579S5BCI8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BF8

70V3579S5BF8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BF

70V3579S5BF

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5DR

70V3579S5DR

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4BCG

70V3579S4BCG

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BCGI

70V3579S5BCGI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi