Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > 70V3579S5DR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
517403370V3579S5DR piltIDT (Integrated Device Technology)

70V3579S5DR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    70V3579S5DR
  • Tootja / bränd
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    1.70V3579S5DR.pdf
    2.70V3579S5DR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tehnoloogia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Pakkuja seadme pakett
    208-PQFP (28x28)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    208-BFQFP
  • Muud nimed
    IDT70V3579S5DR
    IDT70V3579S5DR-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1.125Mb (32K x 36)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    SRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 208-PQFP (28x28)
  • Baasosa number
    IDT70V3579
  • Juurdepääsuaeg
    5ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "70V3579S5DR" seotud tooted.
70V3579S6DR

70V3579S6DR

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S5BCI

70V3579S5BCI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S5BFI8

70V3579S5BFI8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S5BC8

70V3579S5BC8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S5BF

70V3579S5BF

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S6BF

70V3579S6BF

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S5DRI

70V3579S5DRI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S5BCGI

70V3579S5BCGI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S5BCI8

70V3579S5BCI8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S5BF8

70V3579S5BF8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S6BCI

70V3579S6BCI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S6BF8

70V3579S6BF8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3589S133BC

70V3589S133BC

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S6BCI8

70V3579S6BCI8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S6BC

70V3579S6BC

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S6BC8

70V3579S6BC8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3589S133BC8

70V3589S133BC8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V3579S5BC

70V3579S5BC

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.