Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > 70V3579S6DR
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
429835670V3579S6DR piltIDT (Integrated Device Technology)

70V3579S6DR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    70V3579S6DR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tehnoloogia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Pakkuja seadme pakett
    208-PQFP (28x28)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    208-BFQFP
  • Muud nimed
    IDT70V3579S6DR
    IDT70V3579S6DR-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1.125Mb (32K x 36)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    SRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 6ns 208-PQFP (28x28)
  • Baasosa number
    IDT70V3579
  • Juurdepääsuaeg
    6ns
70V3589S133BCI8

70V3589S133BCI8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3589S133DRG

70V3589S133DRG

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S6BF

70V3579S6BF

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S6BCI8

70V3579S6BCI8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3589S133BF

70V3589S133BF

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5DRI

70V3579S5DRI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S6BF8

70V3579S6BF8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3589S133BFI

70V3589S133BFI

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S6BCI

70V3579S6BCI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S6BC8

70V3579S6BC8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3589S133DR

70V3589S133DR

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3589S133BF8

70V3589S133BF8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S6BC

70V3579S6BC

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5DR

70V3579S5DR

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BFI8

70V3579S5BFI8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3589S133BC

70V3589S133BC

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3589S133BFI8

70V3589S133BFI8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3589S133BCI

70V3589S133BCI

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3589S133BC8

70V3589S133BC8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi