Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFN100N20
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
829140IXFN100N20 piltIXYS Corporation

IXFN100N20

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10+
$22.20
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFN100N20
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFN100N20.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 8mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 500mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    520W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    9000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    380nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 200V 100A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFN100N20" seotud tooted.
IXFM1633

IXFM1633

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFM1766

IXFM1766

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN120N20

IXFN120N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N65X2

IXFN100N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N10S1

IXFN100N10S1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFM1627

IXFM1627

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N50P

IXFN100N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFM35N30

IXFM35N30

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFM15N60

IXFM15N60

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFM42N20

IXFM42N20

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN110N60P3

IXFN110N60P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN120N25

IXFN120N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN102N30P

IXFN102N30P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
IXFN100N10S3

IXFN100N10S3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN106N20

IXFN106N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N25

IXFN100N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFM67N10

IXFM67N10

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN110N85X

IXFN110N85X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.