Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFN110N60P3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1010700IXFN110N60P3 piltIXYS Corporation

IXFN110N60P3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$29.81
10+
$27.572
100+
$23.548
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFN110N60P3
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFN110N60P3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    HiPerFET™, Polar3™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    56 mOhm @ 55A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1500W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Muud nimed
    625715
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    18000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    245nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 90A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFN110N60P3" seotud tooted.
IXFN100N10S1

IXFN100N10S1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN150N10

IXFN150N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N10S3

IXFN100N10S3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N25

IXFN100N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN110N85X

IXFN110N85X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN140N20P

IXFN140N20P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN102N30P

IXFN102N30P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N65X2

IXFN100N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN140N25T

IXFN140N25T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN130N30

IXFN130N30

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N20

IXFN100N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN140N30P

IXFN140N30P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N50P

IXFN100N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN120N25

IXFN120N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN106N20

IXFN106N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN132N50P3

IXFN132N50P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN120N20

IXFN120N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.