Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFN260N17T
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2796100IXFN260N17T piltIXYS Corporation

IXFN260N17T

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFN260N17T
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFN260N17T.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    GigaMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 60A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1090W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    24000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    400nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    170V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 170V 245A (Tc) 1090W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    245A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFN260N17T" seotud tooted.
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN24N100

IXFN24N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN24N100F

IXFN24N100F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Kirjeldus: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN220N20X3

IXFN220N20X3

Kirjeldus: 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN26N100P

IXFN26N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN25N90

IXFN25N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN26N90

IXFN26N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN230N10

IXFN230N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Kirjeldus: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN27N80

IXFN27N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN26N120P

IXFN26N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN23N100

IXFN23N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.