Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFN300N10P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3136294IXFN300N10P piltIXYS Corporation

IXFN300N10P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10+
$32.19
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFN300N10P
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFN300N10P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1070W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    23000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    279nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 295A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    295A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFN300N10P" seotud tooted.
IXFN26N100P

IXFN26N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Kirjeldus: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN27N80

IXFN27N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN260N17T

IXFN260N17T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN26N120P

IXFN26N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN26N90

IXFN26N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN25N90

IXFN25N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Kirjeldus: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.