Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTA08N100D2HV
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6932572IXTA08N100D2HV piltIXYS Corporation

IXTA08N100D2HV

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
50+
$2.588
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTA08N100D2HV
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    IXTA08N100D2HV.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 25µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263HV
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21 Ohm @ 400mA, 0V
  • Voolukatkestus (max)
    60W (Tc)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    325pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14.6nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    Depletion Mode
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    0V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 800mA (Tj) 60W (Tc) Surface Mount TO-263HV
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    800mA (Tj)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTA08N100D2HV" seotud tooted.
IXTA02N250

IXTA02N250

Kirjeldus: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA08N100P

IXTA08N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA10P50PTRL

IXTA10P50PTRL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXT-1-1N100S1

IXT-1-1N100S1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA02N450HV

IXTA02N450HV

Kirjeldus: MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA110N055T2

IXTA110N055T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA05N100HV

IXTA05N100HV

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA110N055T

IXTA110N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA05N100

IXTA05N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA10N60P

IXTA10N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA02N250HV

IXTA02N250HV

Kirjeldus: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA08N120P

IXTA08N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA06N120P

IXTA06N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXT-1-1N100S1-TR

IXT-1-1N100S1-TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA10P50P

IXTA10P50P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA102N15T

IXTA102N15T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 102A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA110N055P

IXTA110N055P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA100N04T2

IXTA100N04T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA08N100D2

IXTA08N100D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.