Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTA110N055T
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3342566IXTA110N055T piltIXYS Corporation

IXTA110N055T

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTA110N055T
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTA110N055T.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 100µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263 (IXTA)
  • Seeria
    TrenchMV™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7 mOhm @ 25A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    230W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3080pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    55V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 55V 110A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTA110N055T" seotud tooted.
IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA120N04T2

IXTA120N04T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA130N065T2

IXTA130N065T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 65V 130A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA100N04T2

IXTA100N04T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA12N50P

IXTA12N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA08N100P

IXTA08N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA110N055T7

IXTA110N055T7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA10N60P

IXTA10N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA120N075T2

IXTA120N075T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 120A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA102N15T

IXTA102N15T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 102A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA10P50PTRL

IXTA10P50PTRL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA130N10T

IXTA130N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 130A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA110N055P

IXTA110N055P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA120P065T

IXTA120P065T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 65V 120A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA110N12T2

IXTA110N12T2

Kirjeldus: 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA110N055T2

IXTA110N055T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA08N120P

IXTA08N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA12N65X2

IXTA12N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 12A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA10P50P

IXTA10P50P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.