Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTH1N200P3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1990829IXTH1N200P3 piltIXYS Corporation

IXTH1N200P3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$7.27
30+
$5.964
120+
$5.383
510+
$4.51
1020+
$3.928
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTH1N200P3
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTH1N200P3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 (IXTH)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40 Ohm @ 500mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    125W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    646pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    2000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 2000V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTH1N200P3" seotud tooted.
IXTH16N50D2

IXTH16N50D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 16A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH20N60

IXTH20N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH1N170DHV

IXTH1N170DHV

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH200N10T

IXTH200N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 200A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH1N300P3HV

IXTH1N300P3HV

Kirjeldus: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH180N10T

IXTH180N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 180A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH200N075T

IXTH200N075T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 200A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH1N450HV

IXTH1N450HV

Kirjeldus: 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH1N100

IXTH1N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH20N50D

IXTH20N50D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH20P50P

IXTH20P50P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 20A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH16N20D2

IXTH16N20D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 16A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH16N10D2

IXTH16N10D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 16A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH16P60P

IXTH16P60P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 600V 16A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH16P20

IXTH16P20

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 16A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH20N65X

IXTH20N65X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

Kirjeldus: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH182N055T

IXTH182N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 182A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH180N085T

IXTH180N085T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 180A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH200N085T

IXTH200N085T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 200A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.