Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTH200N10T
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
214247IXTH200N10T piltIXYS Corporation

IXTH200N10T

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$7.27
30+
$5.964
120+
$5.383
510+
$4.51
1020+
$3.928
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTH200N10T
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTH200N10T.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 (IXTH)
  • Seeria
    TrenchMV™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    550W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    9400pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    152nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    200A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTH200N10T" seotud tooted.
IXTH220N075T

IXTH220N075T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 220A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH200N085T

IXTH200N085T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 200A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH230N085T

IXTH230N085T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 230A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH21N50

IXTH21N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 21A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

Kirjeldus: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH22N50P

IXTH22N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH21N50Q

IXTH21N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH1N450HV

IXTH1N450HV

Kirjeldus: 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH20N50D

IXTH20N50D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH1N100

IXTH1N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH20N60

IXTH20N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH1N300P3HV

IXTH1N300P3HV

Kirjeldus: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH182N055T

IXTH182N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 182A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH200N075T

IXTH200N075T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 200A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH20P50P

IXTH20P50P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 20A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH1N200P3

IXTH1N200P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH20N65X

IXTH20N65X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH220N055T

IXTH220N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 220A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH180N10T

IXTH180N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 180A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH1N170DHV

IXTH1N170DHV

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.