Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTN600N04T2
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5885842IXTN600N04T2 piltIXYS Corporation

IXTN600N04T2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$28.82
10+
$26.658
100+
$22.767
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTN600N04T2
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTN600N04T2.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    GigaMOS™, TrenchT2™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.05 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    940W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    40000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    590nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 600A (Tc) 940W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    600A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTN600N04T2" seotud tooted.
IXTN22N100L

IXTN22N100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN46N50L

IXTN46N50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN40P50P

IXTN40P50P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN60N50L2

IXTN60N50L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN30N100L

IXTN30N100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN550N055T2

IXTN550N055T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN79N20

IXTN79N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN32P60P

IXTN32P60P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 600V 32A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN90P20P

IXTN90P20P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 90A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN320N10T

IXTN320N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN8N150L

IXTN8N150L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP02N50D

IXTP02N50D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN660N04T4

IXTN660N04T4

Kirjeldus: 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN62N50L

IXTN62N50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP01N100D

IXTP01N100D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN5N250

IXTN5N250

Kirjeldus: MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN90N25L2

IXTN90N25L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP02N120P

IXTP02N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN240N075L2

IXTN240N075L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN36N50

IXTN36N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.