Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTN90P20P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3516851IXTN90P20P piltIXYS Corporation

IXTN90P20P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10+
$24.05
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTN90P20P
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTN90P20P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    PolarP™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    44 mOhm @ 500mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    890W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    12000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    205nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    200V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 200V 90A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTN90P20P" seotud tooted.
IXTN79N20

IXTN79N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN550N055T2

IXTN550N055T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP02N120P

IXTP02N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN62N50L

IXTN62N50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP05N100M

IXTP05N100M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP05N100

IXTP05N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN90N25L2

IXTN90N25L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP08N100P

IXTP08N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN46N50L

IXTN46N50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN660N04T4

IXTN660N04T4

Kirjeldus: 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN8N150L

IXTN8N150L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN600N04T2

IXTN600N04T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP06N120P

IXTP06N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP05N100P

IXTP05N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP02N50D

IXTP02N50D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP08N120P

IXTP08N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP08N100D2

IXTP08N100D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN60N50L2

IXTN60N50L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN5N250

IXTN5N250

Kirjeldus: MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP01N100D

IXTP01N100D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.