Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB033N10N5LFATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
262240IPB033N10N5LFATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB033N10N5LFATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$6.49
10+
$5.798
100+
$4.754
500+
$3.85
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB033N10N5LFATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V D2PAK-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB033N10N5LFATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.1V @ 150µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO263-3
  • Seeria
    OptiMOS™-5
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.3 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    179W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB033N10N5LFATMA1CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    460pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    102nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 120A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB033N10N5LFATMA1" seotud tooted.
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Tootjad: Infineon Technologies
Laos
RFQ
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.