Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB039N10N3GE8187ATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6433016IPB039N10N3GE8187ATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$1.75
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB039N10N3GE8187ATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB039N10N3GE8187ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 160µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO263-7
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    214W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • Muud nimed
    IPB039N10N3 G E8187
    IPB039N10N3 G E8187-ND
    IPB039N10N3 G E8187TR-ND
    IPB039N10N3GE8187ATMA1TR
    SP000939340
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    8410pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    117nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    160A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB039N10N3GE8187ATMA1" seotud tooted.
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Tootjad: Infineon Technologies
Laos
RFQ
IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.